在Atlas中定义新材料需要三个基本要素（参考手册1387页）：
material=Ga2O3 user.default=GaN user.group=semiconductor
1. 定义新材料名字，如：material=Ga2O3：这里定义的材料是氧化镓。 2. 定义材料类别，材料的类别包括导体，半导体，绝缘体三种类型。如：user.group=semiconductor ， 定义的是半导体材料。三种材料定义的代码如下：
user.group=semiconductor
user.group=insulator
user.group=conductor
3. 定义默认材料，在库中把性能相近的材料作为新材料计算的基础，如：user.default=GaN：这把库材料GaN作为默认材料，氧化镓和氮化镓都是镓的宽禁带半导体材料。
4.定义一些其他的参数，在定义了以上三个参数的基础上定义一些其他参数，来具体的定义出一种新材料。在定义新材料的时候，至少要包含以下几个参数：带隙，电子及空穴态密度，介电常数，电子及空穴迁移率（NC300, NV300, permittivity, mun, mup），对于双极器件还必须包括一些复合参数，如寿命，辐射复合率，俄歇系数（TAUN，TAUP, COPT, AUGN, AUGP）。 举例如下：
material material=Ga2O3 user.default=GaN user.group=semiconductor \
affinity=4.0 eg300=4.8 nc300=3.72e18